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    第122章一百二十一章：成本太高了

    过完节上班后，从越最关注的两层堆叠存储芯片图纸终于出来了，随即就开始在实验室内进行流片封装，tsv技术就运用在封装这个环节，废掉了大量的存储芯片、经历了多次封装失败后。在八之后终于成功的得到了几百颗两层堆叠的存储芯片样品，从越立即对它们进行数据测试。

    其实这颗存储芯片是由两片华科技刚刚研发的的第一代ddr存储芯片叠加而成的，实际的技术难度非常大，但是出来的成品性能确实让人感到惊艳。

    这颗存储芯片工作电压1.8v，工作频率最高可以达到667mhz，单颗内存容量达到64m，基本跟图纸设计指标相差无几。而这个时期最好的存储颗粒，也就是华科技最新研发的ddr一代的颗粒技术指标为：工作电压2.5v、工作频率266mhz，单颗内存容量为32m，运用了堆叠技术的存储芯片在性能指标上完胜第一代ddr，但是在成本上却铩羽而归。

    测试结果出来之后，参加存储芯片设计的工程师们沸腾了，夜以继日的辛苦得到了丰厚的结果，从越也能感受到大家的喜悦，tsv技术在这个时期是妥妥的黑科技，让华科技在芯片领域实现弯道超车。

    只不过从越没有特别的兴奋，因为这颗存储芯片的成本高的惊人，眼前的这几百颗存储芯片，每颗的成本就要一千五百多美元，这还只是按这次流片实验费用测算的，如果按照整个技术研发费用来算的话那个成本就更吓人了。虽然将来产量越多成本就会越低，但是令人头疼的是成品率低的可怕，这导致成本无法马上就能降下来，目前最重要的就是提高成品率。

    但是即便如此这项技术在如今这个时代是超前领先的存在，从越选择的这条路是对的，这项技术跟目前的芯片技术对比，就好比螺旋桨飞机跟喷气式飞机的差距，随着这项技术的成熟完善，差距将会越来越大。

    从越知道，哪怕科技发展的再完善，在一个面积相等的平面上集成的晶体管数量是有上限的，而只有3d堆叠技术才可以打破这个瓶颈，而从越让它提前面世了。

    tsv技术还分为四个种类，基于芯片堆叠的3d技术、有源tsv堆叠、无源tsv堆叠、存储芯片堆叠。这次从越使用的就是存储芯片堆叠技术。目前这四项种类的专利已经由华科技全部申请了，从越依据欧美科技企业的习惯也设置了高高的技术壁垒和护城河。

    实验还要不断的进行下去，现在实现的是两片堆叠，还要继续增加到三片、四片、五片.......！

    这边的存储芯片取得的进展，那边的图形图像处理芯片也到了需要流片封装的阶段。
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